发光二极体及其制作方法

摘要

一种发光二极体，包括一基板及在基板上依次形成之P-GaN层、活性层及n-GaN层。在n-GaN层表面设置有电极层。n-GaN层包括第一扩散部及第二扩散部。第一扩散部临近电极层，第二扩散部设置于第一扩散部之远离电极层一侧，且第一扩散部之掺杂浓度小于第二扩散部之掺杂浓度。本发明藉由于n-GaN层表面设置第一扩散部与第二扩散部，且第二扩散部之掺杂浓度大于第一扩散部，即第二扩散部之电阻率小于第一扩散部，使电流朝远离电极之第二扩散部延伸，从而增加电流分布之均匀性，提高发光二极体之发光效率。

主权项

一种发光二极体，其包括一基板及在基板上依次形成之P-GaN层、活性层及n-GaN层，该发光二极体进一步包括一电极层，该电极层设置n-GaN层之表面，其特征在于，该n-GaN层包括第一扩散部及第二扩散部，该第一扩散部临近该电极层，该第二扩散部设置于该第一扩散部之远离该电极层一侧，且该第一扩散部之掺杂浓度小于该第二扩散部之掺杂浓度。