具有抗熔丝配置之电晶体设备及其形成方法;TRANSISTOR DEVICES HAVING AN ANTI-FUSE CONFIGURATION AND METHODS OF FORMING THE SAME

摘要

本发明提供一种具有抗熔丝配置之电晶体设备及形成该电晶体设备的方法，该示例性电晶体设备包括：半导体基板，包括有第一鳍片；第一绝缘层，覆盖于该半导体基板上并具有小于该第一鳍片之高度的厚度，而该第一鳍片延伸通过并突出于该第一绝缘层，以设置嵌设于该第一绝缘层内的埋入鳍片部分及突出于该第一绝缘层的暴露鳍片部分；闸极电极结构，系覆盖于该暴露鳍片部分上；以及闸极绝缘结构，系设置在该第一鳍片与该闸极电极结构之间，其中，该闸极绝缘结构包含有覆盖于该第一鳍片之第一表面上的第一介电层，而该闸极绝缘结构还包含有覆盖于该第一鳍片之第二表面上的第二介电层，且潜在击穿路径系定义为通过该第一介电层在该第一鳍片与该闸极电极结构之间。