| 发明名称 |
深度磁场产生模组与电磁热治疗装置 |
| 摘要 |
一种深度磁场产生模组包含一第一线圈单元、一第二线圈单元以及一导磁材料。第二线圈单元与第一线圈单元连接，并水平环绕第一线圈单元。导磁材料之相对导磁率系大于100，并包覆第一线圈单元与第二线圈单元之至少其中之一。本发明亦揭露一种电磁热治疗装置。藉由高相对导磁率之导磁材料包覆第一线圈单元与第二线圈单元之至少其中之一，可提升深度磁场产生模组与电磁热治疗装置之磁场强度及电磁感应效能。 |
| 申请公布号 |
TWI462758 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW102105855 |
申请日期 |
2013.02.20 |
| 申请人 |
国立成功大学 台南市东区大学路1号;财团法人金属工业研究发展中心 高雄市楠梓区高楠公路1001号 |
发明人 |
戴政祺;黄世杰;林锡璋;陈建璋;陈永祥;尤崇智 |
| 分类号 |
A61N2/02 |
主分类号 |
A61N2/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
刘正格 台北市中山区中山北路1段53巷20号之1 |
| 主权项 |
一种深度磁场产生模组，包含：一第一线圈单元；一第二线圈单元，与该第一线圈单元连接，并水平环绕该第一线圈单元；以及一导磁材料，其相对导磁率系大于100，并包覆该第一线圈单元与该第二线圈单元之至少其中之一。 |
| 地址 |
高雄市楠梓区高楠公路1001号 |
