在半导体处理系统中离子源之清洗之方法

摘要

本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中之该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。

主权项

一种控制一离子植入系统中一间接加热的阴极源之状态的方法，该方法包含：a)藉由在一预定时间量测阴极偏压功率来确定该间接加热的阴极源之使用功率；b)比较该预定时间之该使用功率与初始功率；及c)回应于该比较采取校正动作(i)或(ii)以控制该间接加热的阴极之该状态，藉此(i)若该预定时间之该使用功率高于该初始功率，则蚀刻该间接加热的阴极；或(ii)若该预定时间之该使用功率低于该初始功率，则再生长该间接加热的阴极。