用以处理半导体基板的方法、处理矽表面的方法以及系统

摘要

用以低压烘烤以于沉积之前移除半导体表面的杂质的方法与系统。短暂且低温的制程有利地只消耗少量的热预算，同时仍有效地从半导体的表面移除界面氧。此方法与系统特别适合于磊晶之前用来处理半导体的表面。

主权项

一种用以处理半导体基板的方法，包括：装载该半导体基板至一基板架上，该基板架位于一化学气相沉积反应腔体中；减少该化学气相沉积反应腔体中的压力至一介于1×10-6托尔~10托尔之间的烘烤压力，同时提供一还原气体至该化学气相沉积反应腔体中；增加该反应腔体中的压力，以从该烘烤压力增加至一沉积压力；以及在该沉积压力下以化学气相沉积法沉积一膜层。