发明名称 |
III族氮化物结晶及其表面处理方法、III族氮化物积层体及其制造方法、与III族氮化物半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种III族氮化物结晶之表面处理方法,其包括:使用莫氏硬度高于7之硬质研磨粒对III族氮化物结晶之表面进行研磨之步骤;以及使用不含研磨粒之抛光液对经研磨之III族氮化物结晶之表面进行抛光之无研磨粒抛光步骤;并且不含研磨粒之抛光液之pH值为1以上、6以下或8.5以上、14以下。藉此,可提供一种能够将研磨后残留于结晶中之硬质研磨粒去除而减少结晶表面之杂质的III族氮化物结晶之表面处理方法。 |
申请公布号 |
TWI463553 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW098112200 |
申请日期 |
2009.04.13 |
申请人 |
住友电气工业股份有限公司 日本 |
发明人 |
石桥惠二;松本直树;入仓正登 |
分类号 |
H01L21/304;C30B29/38 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种III族氮化物结晶之表面处理方法,其包括:使用莫氏硬度高于7之硬质研磨粒对III族氮化物结晶之表面进行研磨之步骤;以及使用不含研磨粒之抛光液对上述经研磨之上述III族氮化物结晶之表面进行抛光之无研磨粒抛光步骤;并且上述不含研磨粒之抛光液之pH值为1以上、6以下或8.5以上、14以下;藉由上述无研磨粒抛光步骤,去除残留于上述经研磨之上述III族氮化物结晶之表面之硬质研磨粒。 |
地址 |
日本 |