| 发明名称 |
沟渠式功率金氧半导体结构与其形成方法 |
| 摘要 |
一种沟渠式功率金氧半导体结构与其形成方法，包括：首先形成一隔离沟槽，然后形成具有不同掺杂浓度的两个掺杂层，且两个掺杂层相连位于该隔离沟槽外围，以及形成一隔离结构位于隔离沟槽内。其中两个掺杂层相连位于该隔离沟槽外围可由离子注入控制所形成介面轮廓，有效和缓电场分布与导通损失。 |
| 申请公布号 |
TW201445669 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW102118533 |
申请日期 |
2013.05.24 |
| 申请人 |
帅群微电子股份有限公司 |
发明人 |
许修文;叶俊莹;李元铭 |
| 分类号 |
H01L21/76(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
新北市汐止区工建路366号6楼 |
