包含金属熔丝、反熔丝及／或电阻之金属闸极整合结构及方法

摘要

一种半导体结构以及一种用于制造此半导体结构之方法系提供一场效元件位于并形成于一半导体基板之主动区域上，以及一熔丝结构、一反熔丝结构与一电阻结构中之至少一者位于并形成于至少部分同时在侧向与半导体基板之主动区域相隔的隔离区域。该场效元件包含一具有高介电常数之介电质材料的闸极介电质，以及一包含金属材料之闸极电极。而该熔丝结构、反熔丝结构与电阻结构中之至少一者包含一具有与闸极介电质之相同材料的垫介电质，以及亦选择性地可能包含与该闸极电极相同的金属材料之一熔丝、反熔丝或电阻。

主权项

一种半导体结构，包含：一半导体基板，其包含一主动区域侧边邻近于一隔离区域，其中该隔离区域具有一上表面，其与该半导体基板的一上表面共平面；一场效元件位于该主动区域内，该场效元件包含：一闸极介电质位于该主动区域上，且包含一闸极介电质材料具有一高于约10之介电常数；及一闸极电极位于该闸极介电质上，且包含一金属材料，其中该闸极介电质具有复数个侧壁，其与该闸极电极的复数个侧壁垂直地重合；以及一熔丝结构、一反熔丝结构与一电阻结构中之至少一者位于该隔离区域上，而该熔丝结构、该反熔丝结构与该电阻结构中之该至少一者包含：一垫介电质位于该隔离区域上，且包含与该闸极介电质相同之闸极介电质材料，且具有一高于约10之介电常数，其中该垫介电质与该闸极介电质材料包含复数个彼此共平面的上表面与复数个彼此共平面的底表面；以及一熔丝、一反熔丝与一电阻中之至少一者位于该垫介电质之上，其中该熔丝、该反熔丝与该电阻中之该至少一者具有复数个侧壁，其与该垫介电质的复数个侧壁垂直地重合，该垫介电质的该等侧壁是由该隔离区域的复数个侧壁垂直地偏移。