| 发明名称 |
功率半导体元件及其制作方法 |
| 摘要 |
一种功率半导体元件，包含有一基底，具有一第一导电型；一半导体层，设于该基底上，该半导体层具有该第一导电型；复数个交替排列之第一导电型掺杂沟槽及第二导电型掺杂沟槽；一第一导电型扩散区，位于各该第一导电型掺杂沟槽周围之该半导体层中；以及一第二导电型扩散区，位于各该第二导电型掺杂沟槽周围之该半导体层中，其中该第一导电型扩散区及该第二导电型扩散区之间构成一PN接面，且该PN接面与该第一导电型掺杂沟槽之距离等于该PN接面与该第二导电型掺杂沟槽之距离。 |
| 申请公布号 |
TWI463650 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW101124976 |
申请日期 |
2012.07.11 |
| 申请人 |
茂达电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区笃行一路6号 |
发明人 |
林永发;张家豪;石逸群 |
| 分类号 |
H01L29/04;H01L27/092 |
主分类号 |
H01L29/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
| 主权项 |
一种功率半导体元件，包含有：一基底，具有一第一导电型；一半导体层，设于该基底上，该半导体层具有该第一导电型；复数个交替排列之第一导电型掺杂沟槽及第二导电型掺杂沟槽；一第一导电型扩散区，位于各该第一导电型掺杂沟槽周围之该半导体层中；以及一第二导电型扩散区，位于各该第二导电型掺杂沟槽周围之该半导体层中，其中该第一导电型扩散区及该第二导电型扩散区之间构成一PN接面，且该PN接面与该第一导电型掺杂沟槽之距离等于该PN接面与该第二导电型掺杂沟槽之距离。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区笃行一路6号 |
