| 发明名称 |
半导体结构及其制造方法 |
| 摘要 |
一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基板及电容结构。电容结构包括第一导电层、第二导电层及介电层。第一导电层形成于基板上。第二导电层具有一侧面。介电层形成于第一导电层与第二导电层之间，且具有一侧面，介电层之侧面与第二导电层之侧面系间隔一距离。 |
| 申请公布号 |
TWI463637 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW101103962 |
申请日期 |
2012.02.07 |
| 申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓加工区经三路26号 |
发明人 |
李 德章;陈纪翰;陈建桦;周泽川;杨秉丰;施旭强 |
| 分类号 |
H01L27/01;H01L21/77 |
主分类号 |
H01L27/01 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种半导体结构，包括：一基板；以及一电容结构，包括：一第一导电层，形成于该基板上；一第二导电层，具有一侧面；及一介电层，形成于该第一导电层与该第二导电层之间，且具有一侧面，该介电层之该侧面与该第二导电层之该侧面系间隔一距离，其中该介电层露出该第一导电层之四个边缘。 |
| 地址 |
高雄市楠梓加工区经三路26号 |
