| 发明名称 |
半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
本发明之目的在于建立制造使用氧化物半导体的半导体装置的处理技术。在基板上方形成闸极电极，在闸极电极上方形成闸极绝缘层，在闸极绝缘层上方形成氧化物半导体层，藉由湿式蚀刻来处理氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，藉由第一乾式蚀刻来处理导电层以形成源极电极和汲极电极，并且藉由第二乾式蚀刻来去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者藉由乾式蚀刻来处理导电层以形成源极电极和汲极电极，并且藉由该乾式蚀刻来去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。 |
| 申请公布号 |
TWI463570 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW098135432 |
申请日期 |
2009.10.20 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 日本 |
发明人 |
须泽英臣;笹川慎也;村冈大河 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/306;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，包含以下步骤：在基板的上方形成闸极电极；在该闸极电极的上方形成闸极绝缘层；在该闸极绝缘层的上方形成氧化物半导体层；藉由湿式蚀刻来处理该氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层；在该岛状氧化物半导体层的上方形成导电层；藉由第一乾式蚀刻来处理该导电层以形成源极电极和汲极电极，以及藉由第二乾式蚀刻来去除该岛状氧化物半导体层的一部分以在该岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。 |
| 地址 |
日本 |
