发明名称 |
含镧系元素前驱物的制备和含镧系元素薄膜的沈积 |
摘要 |
本文描述沈积含稀土金属层之方法及组成物。一般而言,所揭示之方法使用诸如化学气相沈积或原子层沈积之沈积方法沈积包含含稀土化合物之前驱化合物。所揭示之前驱化合物包括具有至少一个脂族基作为取代基之环戊二烯基配位基及脒配位基。 |
申请公布号 |
TWI463032 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW098118837 |
申请日期 |
2009.06.05 |
申请人 |
液态空气乔治斯克劳帝方法研究开发股份有限公司 法国 |
发明人 |
帕雷姆 凡卡特斯瓦拉;杜萨拉特 克里斯均 |
分类号 |
C23C16/455 |
主分类号 |
C23C16/455 |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种组成物,其包含以下通式之含镧系元素前驱物:Ln(R1Cp)m(R2-N-C(R4)=N-R2)n,其中:Ln为具有约0.75至约0.94之离子半径、3+电荷及6之配位数的镧系金属;R1选自由H及C1-C5烷基链组成之群;R2选自由H及C1-C5烷基链组成之群;R4选自由H及Me组成之群;n及m在1至2之范围内;且该前驱物具有低于约105℃之熔点。 |
地址 |
法国 |