用于雷射退火之方法及系统、与经雷射退火之半导体薄膜

摘要

在用于将非晶半导体薄膜转变成横向结晶薄膜之雷射退火方法中：重复以雷射光照射区域及照射区域位置之偏移，其中进行偏移使得各照射区域含因前次照射产生之粒状结晶次区域、及尚未结晶之非晶半导体材料次区域，而且偏移区域系在将含于次一区域之粒状结晶与非晶半导体材料转变成横向结晶，但不熔化因前次照射而在半导体薄膜中制造之一或多个横向结晶区域的条件下照射。

主权项

一种用于实行非晶半导体材料制半导体薄膜之雷射退火的雷射退火方法，其包括以下步骤：(a)在第一区域生长横向结晶之条件下以雷射光照射第一区域，而实行该半导体薄膜第一区域之雷射退火；及(b)在将第二区域之粒状结晶及非晶半导体材料转变成横向结晶，但不熔化因步骤(a)之雷射光照射而在半导体薄膜中产生之该横向结晶的条件下以该雷射光照射第二区域，而实行该半导体薄膜第二区域之雷射退火，其中第二区域自已以雷射光照射，而且包括至少一部份因步骤(a)之雷射光照射而产生之粒状结晶、及该尚未结晶半导体薄膜中之至少一部份非晶半导体材料的半导体薄膜区域偏移。