发明名称 适于蚀刻高深宽比特征结构之真空处理室以及其组件
摘要 本发明之实施例提供一种适用于蚀刻高深宽比特征结构(high aspect ratio feature)之方法与设备(如:处理室)。于其他实施例中,系揭露多种腔室组件以在高深宽比蚀刻过程中呈现良好处理结果。举例来说,于一实施例中,系提供包括腔室主体之处理室,而腔室主体包括设置于其内之喷气头组件及基材支撑组件。喷气头组件包括至少二流体分离之充气部、一可传递光学计量讯号之部位,以及复数个穿设于喷气头组件之气体通道,其系将该些充气部流体连接至腔室主体之内部空间。于其他实施例中,系提供具新颖性之阴极衬垫、上方外部衬垫、下方外部衬垫、基材支撑组件、上盖组件、喷气头组件以及石英环至少其中一者,以利于高深宽比特征结构之电浆蚀刻。
申请公布号 TWI463562 申请公布日期 2014.12.01
申请号 TW096115649 申请日期 2007.05.02
申请人 应用材料股份有限公司 美国 发明人 帕马西沙玛;道彗奇;周逍平;麦克唐诺凯利A;迪内夫吉可;阿保马利费立德;古特瑞兹大卫E;何忠义吉姆;克拉克罗伯S;古沙丹尼斯M;迪兹杰弗瑞威廉;史甘兰迪克兰;戴希缪克沙珊克;荷伦约翰P;彼得森亚历桑德
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种喷气头组件,包括:一配气板,具有一组外部气流孔洞、一组内部气流孔洞以及一组光学计量孔洞;一上部区域,耦合至该配气板,并具有流体连通至该组外部气流孔洞之一第一充气部,以及流体连通至该组内部气流孔洞的一第二充气部,该第一充气部与该第二充气部于该上部区域中为流体分离;多个同中心黏着环,将该配气板之一上表面耦接至该上部区域之一下表面,其中该些同中心黏着环形成径向分离之多个同中心充气部,该些同中心充气部定义于该配气板之该上表面与该上部区域之该下表面之间,且各同中心充气部容许气体穿过;以及一陶瓷插塞,穿设于该上部区域,并具有一光学传递部位对准该些光学计量孔洞。
地址 美国