发明名称 |
抛光铝半导体基材之组合物及方法 |
摘要 |
本发明提供一种化学机械抛光组合物,其包含经涂覆的α-氧化铝颗粒、有机羧酸、及水。本发明亦提供一化学机械抛光组合物,其包含在抛光组合物中具有负的界达电位(zeta potential)的磨料、有机羧酸、至少一种烷基二苯醚二磺酸盐界面活性剂(alkyldiphenyloxide disulfonate surfactant)、及水,其中该抛光组合物并不包含杂环化合物。该磨料系以胶体状稳定于抛光组合物中。本发明更提供以前述抛光组合物抛光基材的方法。 |
申请公布号 |
TWI463003 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW101133443 |
申请日期 |
2012.09.13 |
申请人 |
卡博特微电子公司 美国 |
发明人 |
崔骥;古路姆班 史提芬;惠特纳 格连;林致安 |
分类号 |
C09K3/14;C09G1/02;H01L21/304;B24B37/00 |
主分类号 |
C09K3/14 |
代理机构 |
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代理人 |
陈翠华 台北市松山区南京东路3段261号6楼 |
主权项 |
一种化学机械抛光基材的方法,包含:(i)提供一包含至少一铝层的基材;(ii)提供一抛光垫;(iii)提供一抛光组合物,包含:(a)一由α-氧化铝颗粒组成的磨料,该α-氧化铝颗粒系覆有一共聚物,该共聚物系包含至少一种磺酸盐单体及至少一种选自以下群组的单体:羧酸盐单体、膦酸盐单体、及磷酸盐单体;(b)一铝的错合剂;及(c)水;(iv)将该基材之一表面与该抛光垫及该抛光组合物接触;以及(v)磨削(abrading)该基材表面的至少一部分,以自该基材表面除去至少一些铝并抛光该基材表面,其中,该抛光组合物之pH值为1至6,且该磨料系以胶体状稳定于该抛光组合物中。 |
地址 |
美国 |