光阻下层膜形成组成物及使用其之光阻图型之形成方法

摘要

本发明之课题在于除提供乾式蚀刻速度之选择比为大之作为光阻下层膜之性能要求以外，并可抑制于膜形成时(烧成时)昇华物之发生的新颖光阻下层膜形成组成物以及使用该光阻下层膜形成组成物之光阻图型形成法。;其解决手段为含有芳香族羰基构造例如在主链具有芳香族醛构造之聚合物、磺酸化合物及溶剂，且前述芳香族羰基构造为介由醚键结、酯键结、或酯键结与醚键结而导入前述聚合物之主链之微影术用光阻下层膜形成组成物以及使用该组成物之图型形成法。

主权项

一种微影术用光阻下层膜形成组成物，其特征为含有具有下述式(1)：(式中，R、A1、A2、A3、A4、A5及A6为各自独立表示氢原子、甲基或乙基，Q表示二价之有机基，n1表示1至4之数，n2及n3各自独立表示0或1之数，m表示重复单位之数且为5至300)所表示之重复构造之聚合物、磺酸化合物及溶剂。