发明名称 |
ㄧ种主动阵列基板的制造方法 |
摘要 |
在此揭露一种制造主动阵列基板的方法。藉由二道光罩之微影蚀刻制程可制作出主动阵列基板。第一道光罩之微影蚀刻制程可形成汲极、源极、资料线及/或资料线连接垫和图案化透明导电层等元件。第二道光罩之微影蚀刻制程可形成闸极、闸线、闸绝缘层、通道层及/或闸线连接垫等元件。 |
申请公布号 |
TWI463534 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW101104428 |
申请日期 |
2012.02.10 |
申请人 |
元太科技工业股份有限公司 新竹市科学工业园区力行一路3号 |
发明人 |
唐文忠;舒芳安;蔡燿州;辛哲宏 |
分类号 |
H01L21/08 |
主分类号 |
H01L21/08 |
代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
一种制造主动阵列基板之方法,包含:依序形成一透明导电层以及一第一金属层覆盖一基材;形成具有一半色调部分之一第一图案化光阻层于该第一金属层上;移除露出部分之该第一金属层及其下方之该透明导电层,以形成一第一图案化金属层及一图案化透明导电层,并移除该半色调部分,以露出该第一图案化金属层之一部分;移除该第一图案化金属层之露出部分,并移除剩余的该第一图案化光阻层,而形成一中间结构;依序形成一半导体层、一绝缘层以及一第二金属层覆盖该中间结构;形成一第二图案化光阻层于该第二金属层上;移除露出部分之该第二金属层及其下方之该绝缘层和该半导体层,以形成一第二图案化金属层、一图案化绝缘层以及一图案化半导体层构成之一堆叠结构;以及加热该第二图案化光阻层,使其流动而形成一保护层覆盖该堆叠结构。 |
地址 |
新竹市科学工业园区力行一路3号 |