发明名称 半导体晶圆收纳容器
摘要 本发明之半导体晶圆收纳容器于容器本体(1)之深壁(1b)具有晶圆保护沟(10),该晶圆保护沟(10)与各半导体晶圆(W)之外缘部相对向之位置为距开口部(1a)侧最远之谷部(10b),形成波形具有较半导体晶圆(W)之厚度更宽之开口宽度的剖面形状,于常态下连接波形各顶部之假想线(Q)较所面向之各半导体晶圆(W)之外缘部而位于更深侧位置或相同位置。由此,可获得即使受到落下及其他操作失误等之较大冲击,亦难以损伤收纳于容器内部之半导体晶圆(W)之优异耐冲击性。
申请公布号 TWI463595 申请公布日期 2014.12.01
申请号 TW099115118 申请日期 2010.05.12
申请人 未来儿股份有限公司 日本 发明人 井上和也
分类号 H01L21/683 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项 一种半导体晶圆收纳容器,其包括:容器本体,具有用以存取数个半导体晶圆之开口部;盖体,可自外侧装卸自如地安装于上述开口部而堵塞上述开口部;晶圆保持沟,于相对向而成对之状态设置于位于上述开口部两侧邻接位置之上述容器本体的侧壁内表面部,而在上述容器本体内各别独立地保持上述数个半导体晶圆,且具有限制上述半导体晶圆移动之晶圆移动限制部,以使其所保持之上述半导体晶圆之外缘部不会到达位于与上述开口部相对向位置处之上述容器本体的深壁;及前固持件,被配置于上述盖体之背面,以自上述开口部侧朝上述深壁侧弹性按压由上述晶圆保持沟所保持之上述半导体晶圆;如此之半导体晶圆收纳容器,其特征在于,其具有晶圆保护沟,而该晶圆保护沟中与由上述晶圆保持沟所保持之上述各半导体晶圆之外缘部相对向之位置成为距上述开口部侧最远之谷部,而形成波形具有较上述半导体晶圆之厚度更宽之开口宽度的剖面形状,且常态下被设置于上述容器本体之深壁部,以使连接上述波形各顶部之假想线较所面向之上述各半导体晶圆之外缘部位于更深侧位置或相同位置。
地址 日本