半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件，其包括基材、第一元件、第二元件以及层间介电层。基材具有第一区以及第二区。第一元件位于基材之第一区内且包括第一介电层以及金属闸极。第一介电层位于基材上，且金属闸极位于第一介电层上。第二元件位于基材的第二区内且包括第二介电层以及多晶矽层。第二介电层位于基材上。多晶矽层位于第二介电层上，且多晶矽层的高度小于第一元件之金属闸极的高度。层间介电层覆盖住第二元件。

主权项

一种半导体元件，包括：一基材，其具有一第一区以及一第二区；一第一元件，位于该基材之该第一区内，该第一元件包括：一第一介电层，位于该基材上；一金属闸极，位于该第一介电层上；以及一第二元件，位于该基材的该第二区内，该第二元件包括：一第二介电层，位于该基材上；一第一多晶矽层，位于该第二介电层上，其中该第一多晶矽层的高度小于该第一元件之该金属闸极的高度；以及一层间介电层，覆盖住该第二元件。