光罩基底之制造方法及光罩之制造方法

摘要

本发明之光罩基底之制造方法为：于透光性基板上成膜包括含有金属及矽之材料之薄膜；继而，对将该薄膜图案化所制作之光罩之薄膜图案累积照射波长200nm以下之曝光光时，以不让薄膜图案之转印特性发生规定以上变化之方式而实施使上述薄膜之主表面预先变质之处理。该处理例如系于含有氧之环境中进行450℃~900℃之加热处理来实施。

主权项

一种光罩基底之制造方法，其特征在于：其系制造于透光性基板上具有用以形成转印图案之薄膜之光罩基底者，包括如下步骤：于上述透光性基板上，成膜包括含有金属及矽之材料之薄膜；及继而，对将该薄膜图案化所制作之光罩之薄膜图案累积照射波长200nm以下之曝光光时，以使薄膜图案之转印特性之穿透率变化量成为0.05%以内、相位差变化量成为1.0度以内之方式而实施使上述已成膜之薄膜之主表面预先变质之处理；上述处理为使上述已成膜之薄膜表层之SiO2分子数增加，从而于薄膜之表层形成含有矽及氧之层的处理。