发明名称 |
半导体装置、半导体装置之制造方法及显示装置 |
摘要 |
本发明之半导体装置包含有机半导体层及氧化物半导体层,并可发光。 |
申请公布号 |
TWI463716 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW097110757 |
申请日期 |
2008.03.26 |
申请人 |
出光兴产股份有限公司 日本;国立大学法人九州大学 日本 |
发明人 |
矢野公规;中野谷一;安达千波矢 |
分类号 |
H01L51/50;H01L29/786;H01L51/05 |
主分类号 |
H01L51/50 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
一种半导体装置,具有:包含有机半导体层及氧化物半导体层并可发光之发光部;隔着绝缘体层设于前述发光部之第1电极;与前述发光部相接并与前述第1电极分开设置之第2电极;与前述发光部相接并与前述第1及第2电极分开设置之第3电极,其中,第1电极为闸极,第2及第3电极之任一者为汲极之电子注入电极,而另一者为源极之电洞注入电极,前述氧化物半导体层系由包含In、Zn、Sn、Ga之任一种之多晶体氧化物所形成。 |
地址 |
日本 |