发明名称 |
电阻式记忆体装置 |
摘要 |
本发明提供一种电阻式记忆体装置,该装置包含:复数个字线及复数个位元线,其经配置以使得该等字线与该等位元线相交;复数个电阻式记忆体单元,每一电阻式记忆体单元具有一耦接于对应字线与对应位元线之间的可变电阻材料以及一存取元件;选择电路,其选择该复数个电阻式记忆体单元中之一者;及一细丝形成电路,其透过耦接至该所选定电阻式记忆体单元之位元线将一细丝形成电压供应至该所选定电阻式记忆体单元,同时自一预定电压位准增加该细丝形成电压,直至在该所选定电阻式记忆体单元之可变电阻材料中形成具有一预定厚度之细丝为止。 |
申请公布号 |
TWI463492 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW096147738 |
申请日期 |
2007.12.13 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 南韩 |
发明人 |
吴泂录;姜尚范;赵佑荣 |
分类号 |
G11C11/21;G11C7/06 |
主分类号 |
G11C11/21 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
一种积体电路记忆体装置,其包括:一具有一非挥发性资料储存区域之记忆体单元,该非挥发性资料储存区域中包括一多细丝可变电阻率材料;及一细丝形成电路,其在一细丝形成作业期间电耦接至该记忆体单元之一端子,该细丝形成电路经组态成以一单调递增序列之电压驱动该端子,该单调递增序列之电压运作以在该细丝形成作业期间改变该可变电阻率材料内之该等细丝之电阻。 |
地址 |
南韩 |