鳍式场效电晶体之改良结构及其制造方法

摘要

本发明为一种鳍式场效电晶体之改良结构及其制造方法，其结构系包含一矽基层、一矽鳍、一绝缘层以及一磊晶层，该矽鳍系透过蚀刻形成于该矽基层之上，该矽鳍之截面宽度为小于或等于5nm，藉此，锗(Ge)或III-V族等半导体材料即可直接透过选择性的方式而稳定形成磊晶层于矽鳍之上，其磊晶层具有较高的临界厚度、较少的差排密度，元件具有载子迁移率高、同时因元件接面包含部份矽材料而具漏电较小等优点。