发明名称 |
薄膜电晶体阵列及其制造方法 |
摘要 |
一种薄膜电晶体阵列包含基板、薄膜电晶体、第一挡墙、透明电极与色阻。薄膜电晶体位于基板上。第一挡墙位于基板上,并在基板上至少区隔出第一贯穿孔与画素区,其中第一贯穿孔暴露出薄膜电晶体之汲极。上述之第一挡墙包含面向第一贯穿孔之第一侧壁与面向画素区之第二侧壁,其中第一侧壁的坡度较第二侧壁的坡度缓。透明电极透过第一贯穿孔,电性连接薄膜电晶体之汲极。色阻填充于画素区中。 |
申请公布号 |
TWI463659 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW098122805 |
申请日期 |
2009.07.06 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
发明人 |
黄彦衡;林惠芬;陈宗凯;白佳蕙;洪桂彬 |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/312;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
一种薄膜电晶体阵列,包含:一基板,具有一上表面;至少一薄膜电晶体,位于该基板上;一第一挡墙,位于该基板上,并在该基板上至少区隔出一第一贯穿孔与一画素区,该第一挡墙具有背对该基板之该上表面之一顶表面,其中该第一贯穿孔暴露出该薄膜电晶体之一汲极,且该第一挡墙包含:至少一第一侧壁,面向该第一贯穿孔;以及至少一第二侧壁,面向该画素区,其中该第一侧壁的坡度较该第二侧壁的坡度缓;一透明电极,透过该第一贯穿孔,电性连接该薄膜电晶体之该汲极;以及一色阻,填充于该画素区中,该色阻具有背对该基板之该上表面之一顶表面,该第一挡墙之该顶表面在该基板之该上表面上的垂直投影,与该色阻之该顶表面在该基板之该上表面上的垂直投影分开。 |
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |