单次可程式记忆体单元及编程和读取包含该单次可程式记忆体单元的记忆体阵列的方法;ONE TIME PROGRAMABLE MEMORY CELL AND METHOD FOR PROGRAMING AND READING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

摘要

单次可程式记忆体单元包含选择性闸极电晶体，跟随性闸极电晶体，以及反熔丝变容器。该选择性闸极电晶体具有第一闸极端，第一汲极端，第一源极端，以及两第一源/汲极延伸区域分别耦接于该第一汲极端及该第一源极端。该跟随性闸极电晶体具有第二闸极端，第二汲极端，第二源极端耦接于该第一汲极端，以及两第二源/汲极延伸区域分别耦接于该第二汲极端及该第二源极端。该反熔丝变容器具有第三闸极端，第三汲极端，第三源极端耦接于该第二汲极端，以及第三源/汲极延伸区域耦接于该第三汲极端及该第三源极端之间以形成短路。