藉由在开孔蚀刻之前涂布均匀的氧化物层以在电晶体中所形成的嵌埋式Σ形半导体合金

摘要

在形成需要嵌埋半导体合金的精密电晶体时，例如，藉由提供均匀氧化物层以便减少与制程有关的波动或等候时间变异，基于结晶非等向性蚀刻步骤，可形成有优越均匀性的腔穴。基于APC控制方案，可形成该均匀氧化物层。

主权项

一种制造积体电路之方法，其系包含下列步骤：测定初始氧化物层在作用区域表面上的初始厚度，且增加额外的氧化物材料在该初始氧化物层上，以便藉此定义具有最终厚度之最终氧化物层，该作用区已有一闸极结构形成于其上；执行由数个湿化学蚀刻制程组成的一顺序以便移除该最终氧化物层以及在该作用区中形成一腔穴；在该腔穴中形成一半导体材料；以及在该作用区中形成汲极/源极区。