记忆体存取方法及应用其之快闪记忆体

摘要

一种记忆体存取方法，用以针对记忆体阵列进行存取。记忆体阵列中之多个记忆胞排列为多个记忆胞串，其受控于列选择(String Select)讯号。记忆体存取方法包括下列步骤。在设定期间中，找出选择记忆胞串及其上之选择记忆胞；将记忆体阵列中其余之记忆胞偏压为导通传输电晶体；及提供放电路径来消除未选择记忆胞串上之耦合电荷。在读取期间中使选择记忆胞串经由金属位元线(Metal Bit Line)连接至感测单元，并经由电压感测机制(Voltage Sensing Scheme)来针对选择记忆胞串上之选择记忆胞进行读取，其中读取期间不与设定期间重叠(Overlapped)。

主权项

一种记忆体存取方法，应用于一记忆体控制器中，以针对一记忆体阵列进行存取，其中该记忆体阵列中之复数个记忆胞排列为复数个记忆胞串，该些记忆胞串系由一列选择(String Select)讯号来进行控制，该记忆体存取方法包括：在一设定期间中，提供一记忆胞串偏压讯号至该些记忆胞串中之一选择记忆胞串，并提供一选择字元线(Word-line)讯号至该选择记忆胞串中之一选择记忆胞；在该设定期间中，提供复数个未选择字元线讯号至该记忆体阵列中其余之记忆胞，以使其被偏压为导通传输电晶体(Pass Transistor)；在该设定期间中，提供一放电路径连接至该些记忆胞串，以消除该些记忆胞串中至少一个未选择记忆胞串上之耦合电荷；以及在一读取期间中，致能该列选择讯号使得该选择记忆胞串经由一金属位元线(Metal Bit Line)连接至一感测单元，并经由电压感测机制(Voltage Sensing Scheme)来针对该选择记忆胞串上之该选择记忆胞进行读取，其中该读取期间不与该设定期间重叠(Overlapped)。