发明名称 半导体制造装置、半导体制造方法、及半导体制造装置之洁净方法
摘要 于半导体装置之制造装置,具备:反应室,用于进行晶圆之成膜处理;制程气体供给机构,设于反应室之上部,用于将制程气体导入反应室内部;气体排出机构,设于反应室之下部,用于由反应室排出气体;支撑构件,用于保持晶圆;洁净气体供给机构,设于支撑构件之外周,在较支撑构件之上端之更下方,朝外周方向喷出洁净气体;加热器,用于加热晶圆;及旋转驱动机构,用于旋转晶圆。
申请公布号 TWI463590 申请公布日期 2014.12.01
申请号 TW100121830 申请日期 2011.06.22
申请人 纽富来科技股份有限公司 日本;丰田自动车股份有限公司 日本;电装股份有限公司 日本 发明人 铃木邦彦;伊藤英树;土田秀一;鎌田功穗;伊藤雅彦
分类号 H01L21/67;H01L21/30 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置之制造装置,具备:反应室,用于进行晶圆之成膜处理;制程气体供给机构,设于上述反应室之上部,用于将制程气体导入至上述反应室内部;气体排出机构,设于上述反应室之下部,用于由上述反应室排出气体;支撑构件,用于保持上述晶圆;洁净气体供给机构,设于上述支撑构件之外周,且在较上述支撑构件之上端之更下方的位置,朝上述反应室的内壁的方向喷出洁净气体;加热器,用于加热上述晶圆;及旋转驱动机构,用于旋转上述晶圆。
地址 日本