使用扫瞄雷射之差排工程

摘要

揭示一种在一半导体装置内产生图案应变区之方法。该方法包含将光束局部导引至半导体本体的表面部分上；并且使用光束操纵半导体本体之表面部分附近的复数个差排，该光束的特征在于具有扫描速度，用以产生图案应变区。

主权项

一种自一半导体装置移除差排之方法，包含以下步骤：局部指引一光束到一半导体本体的一表面部分上，该半导体本体包含该半导体装置的主动区域；以及使用该光束操纵在该半导体本体之该表面部分附近的复数个差排，该光束的特征在于具有一扫描速度；其中操纵该复数个差排包含使用该光束直接扫描该复数个差排，如此将该复数个差排驱动离开该半导体本体的该表面部分并进入一埋藏氧化层，该埋藏氧化层设置成一连续的且未中断的层位于该半导体装置的主动区域下方且位于邻近该主动区域的一矽沟槽隔离区域的下方，以及该扫描致能消除该半导体本体上该复数个差排。