光学与电子束微影制造层级之共对准的沟渠结构及方法

摘要

本发明提供一种方法将一积体电路晶片之一制造层级之一第一组特征对准一电子束对准目标及使用电子束微影来形成第一组特征，以及将积体电路晶片的相同制造层级之一第二组特征对准光学对准目标及使用微影来形成第二组特征，光学对准目标形成于基材中，光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明亦提供一种电子束对准目标之结构及其形成方法。

主权项

一种混合光学与电子束微影制造层级之共对准的方法，包含形成一电子束对准目标于一基材中；在形成该电子束对准目标之后，形成一光学对准目标于该基材中，相对于该基材中之该电子束对准目标之一位置，该光学对准目标位于该基材中之一预定位置；形成一阻剂层(resist layer)于该基材上；将一光罩对准该光学对准目标或该电子束对准目标，该光罩具有透光及不透光区域之一第一图案，该第一图案代表一积体电路之一制造层级之一第一组特征；将该阻剂层透过该光罩而暴露于光化辐射，以形成选择性曝光区域于该阻剂层中，该不透光区域实质上阻挡该光化辐射，及该透光区域实质上传送该光化辐射；相对于该电子束对准目标之该位置而设置一电子束之一起始位置(home position)；将该阻剂层以一第二图案暴露于该电子束，以形成电子束曝光区域于该阻剂层中，该第二图案代表该积体电路之该制造层级之一第二组特征；显影该阻剂层，以转移该第一及第二图案至该阻剂层中之一阻剂图案；分割该基材的表面为实质电子束曝光域(virtual electron exposure field)；以及仅在包含特征的该基材之每一区域中形成额外电子束对准目标，该特征为该第二组特征的成员并位于在该基材之对应该实质电子束曝光域中之位置上。