| 发明名称 |
相变化记忆体;PHASE-CHANGE MEMORY |
| 摘要 |
本发明提供一种具有电性孤立导体之相变化记忆体元件。该相变化记忆体元件包括：一第一电极及一第二电极；一相变化材料层电性连结该第一电极及该第二电极；以及至少二电性孤立导体，设置于该第一电极及该第二电极间并与该第一电极及该第二电极分隔，且直接与该相变化材料层接触。 |
| 申请公布号 |
TW201445719 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW103122004 |
申请日期 |
2009.01.19 |
| 申请人 |
希格斯海外合夥资本有限责任公司 |
发明人 |
陈 达;蔡铭进 |
| 分类号 |
H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>李国光</name><name>张仲谦</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
