| 发明名称 |
半导体晶圆及其制造方法 |
| 摘要 |
一种晶圆12设有：一薄化部2，其具有一第一侧3及一第二侧4；以及至少一强化构造，用以增加该晶圆12的抗径向弯曲性。该强化构造提供至少一通道10，以供一流体流动于此一强化构造之一内表面9及该强化构造之一外表面8之间并朝向该外表面8。本发明另揭示一种用以支持该晶圆12之夹盘及一种具有凹陷薄化部的晶圆之形成方法。 |
| 申请公布号 |
TWI463548 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW098117369 |
申请日期 |
2009.05.25 |
| 申请人 |
迪思科股份有限公司 日本 |
发明人 |
比克 弗洛里安;苏克马戴维 亚斯弗汉帝 卡罗琳达;史披勒 史凡 曼弗列德 |
| 分类号 |
H01L21/30;H01L21/687 |
主分类号 |
H01L21/30 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
刘育志 台北市大安区敦化南路2段77号19楼 |
| 主权项 |
一种晶圆(12)，设有：一薄化中央部(2)，其具有一第一侧(3)及一第二侧(4)；以及至少一强化构造，该强化构造提供至少一通道(10)，以供一流体流动于此一强化构造之一内表面(9)及该强化构造之一外表面(8)之间并朝向该外表面。 |
| 地址 |
日本 |
