发明名称 |
原子层沉积制程及形成金属氮化物膜的方法;ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS AND METHOD FOR FORMING METAL NITRIDE FILM |
摘要 |
在一个态样中,提供形成诸如TixWyNz膜的平滑三元金属氮化物膜的方法。在一些实施例中,所述膜是由包括多个超循环的ALD制程形成,每一超循环包括两个沉积子循环。在一个子循环中,诸如TiN的金属氮化物是例如自TiCl4及NH3沉积,且在另一子循环中,诸如W的元素金属是例如自WF6及Si2H6沉积。在每一超循环内进行的每一子循环的数目的比率可经选择以达成所要组成且具有所要性质的膜。 |
申请公布号 |
TW201445001 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW103107791 |
申请日期 |
2014.03.07 |
申请人 |
ASM IP控股公司 |
发明人 |
布伦堡 汤姆E;安提拉 雅各 |
分类号 |
C23C16/06(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/06(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>叶璟宗</name><name>郑婷文</name><name>詹富闵</name> |
主权项 |
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地址 |
荷兰 |