半导体装置及其制造方法

摘要

【课题】本发明系得到一种可以提升对于来自外部之不纯物等的耐性之半导体装置及其制造方法。;【解决手段】本发明系在GaAs基板(1)上设置下层配线(2)。在GaAs基板(1)与下层配线(2)上设置树脂膜(4)。树脂膜(4)系在下层配线(2)上具有开口(5)。在下层配线(2)与树脂膜(4)上设置SiN膜(6)。SiN膜(6)系在开口(5)内具有开口(7)。在下层配线(2)与树脂膜(4)的一部份上设置上层配线(8)。上层配线(8)系具有：透过开口(5、7)而与下层配线(2)连接之Ti膜(8a)、及设置在Ti膜(8a)上之Au膜(8b)。在上层配线(8)与树脂膜(4)上设置SiN膜(9)。SiN膜(9)系在树脂膜(4)上与SiN膜(6)附着。SiN膜(6、9)系保护Ti膜(8a)的周围。

主权项

一种半导体装置，包括：半导体基板；下层配线，设置在前述半导体基板上；树脂膜，设置在前述半导体基板与前述下层配线上，并且在前述下层配线上具有第1开口；第1 SiN膜，设置在前述下层配线与前述树脂膜上，并且在前述第1开口内具有第2开口；上层配线，设置在前述下层配线与前述树脂膜的一部份上；及第2 SiN膜，设置在前述上层配线与前述树脂膜上，并且在前述树脂膜中与前述第1 SiN膜附着，其特征在于：前述上层配线系具有：透过前述第1及第2开口而与前述下层配线连接之Ti膜；及设置在前述Ti膜上之Au膜，前述第1及第2 SiN膜系保护前述Ti膜的周围。