Ｐ型场效电晶体的应变结构

摘要

在P型场效电晶体中，形成一对间隙壁于基材之顶表面的上方。通道低陷腔包含一凹陷部，此凹陷部系位于此对间隙壁间之基材顶表面中。闸极堆叠具有位于通道低陷腔中之底部，及延伸至通道低陷腔外之顶部。源极/汲极(S/D)低陷腔具有位于基材顶表面下方之底表面和侧壁。源极/汲极低陷腔具有延伸至闸极堆叠下方之一部分。应变材料(Strained Material)系被填充至源极/汲极低陷腔中。

主权项

一种P型场效电晶体，包含：一基材，具有一顶表面；一对间隙壁，位于该基材之该顶表面的上方；一通道低陷腔，包含一凹陷部，该凹陷部系位于该对间隙壁间之该基材的该顶表面中；一闸极堆叠，具有位于该通道低陷腔中之一底部及延伸至该通道低陷腔外之一顶部；一源极/汲极低陷腔，具有位于该基材之该顶表面下方之一底表面和复数个侧壁，其中该源极/汲极低陷腔包含延伸至该闸极堆叠下方之一部分；一应变材料(Strained Material)，填充至该源极/汲极低陷腔中；以及一源极/汲极延伸部，实质共形地环绕该源极/汲极低陷腔之该底表面和该些侧壁，其中该源极/汲极延伸部包含设置于该闸极堆叠与该源极/汲极低陷腔间并延伸至该闸极堆叠下方之一部分。