发明名称 |
高压元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提出一种高压元件及其制造方法,高压元件形成于第一导电型基板中,该基板利用绝缘区以定义元件区,高压元件包含:漂移区,位于元件区中,其具有第二导电型杂质掺杂,且漂移区由上视图视之,分别在横向与纵向上,第二导电型杂质之浓度分布大致具有周期性的变化;位于基板表面上,元件区中之闸极;以及位于元件区中,闸极两侧之第二导电型源极、与第二导电型汲极。 |
申请公布号 |
TWI463661 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
申请号 |
TW100108936 |
申请日期 |
2011.03.16 |
申请人 |
立錡科技股份有限公司 新竹县竹北市台元街20号5楼 |
发明人 |
黄宗义;黄建豪 |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
任秀妍 新竹市光复路2段481号9楼 |
主权项 |
一种高压元件,形成于一第一导电型基板中,该基板利用绝缘区以定义一元件区,该高压元件包含:一漂移区,位于该元件区中该基板表面下,其具有第二导电型杂质掺杂,且该漂移区由上视图视之,分别在横向与纵向上,第二导电型杂质之浓度分布大致具有周期性的变化;位于该基板表面上,元件区中之一闸极;以及位于该元件区中该基板表面下,该闸极两侧之第二导电型源极、与第二导电型汲极;其中该漂移区由上视图视之,完全位于该源极与该汲极之间,该漂移区具有:复数第一子区,且该第一子区之第二导电型杂质掺杂具有第一浓度;以及复数第二子区,与该复数第一子区在横向与纵向上,交错排列连接,且该第二子区之第二导电型杂质掺杂具有第二浓度;其中该第一浓度与第二浓度在横向与纵向上交错排列,产生该周期性的变化。 |
地址 |
新竹县竹北市台元街20号5楼 |