半导体装置及电源装置

摘要

例如具备：共通控制单元CCTLU；复数个PWM搭载型驱动单元PSIP[1]～PSIP[6]；及复数个电感器L[1]～L[6]。CCTLU，系对各PSIP[1]～PSIP[6]分别输出不同相位之时脉信号CLK[1]～CLK[6]。该各CLK[1]～CLK[6]系可以个别控制电压状态，例如可设定CLK[2]成为高阻抗状态。此情况下，PSIP[2]，系检测出该高阻抗状态，而停止本身之动作。如此则，可以不需要另外使用致能信号等，即可任意设定多相位之相位数。

主权项

一种半导体装置，其特征为具备：第1电晶体及第2电晶体，其分别构成DC/DC转换器之高侧(high-side)电晶体及低侧(low-side)电晶体；第1检测电路，被输入具有第1频率及第1相位之第1控制信号，用于判断上述第1控制信号之电压状态，对应于该判断结果而产生第1内部控制信号及第1致能信号；及PWM控制电路，在上述第1致能信号为活化状态时依据上述第1内部控制信号藉由PWM控制来驱动上述第1及第2电晶体，在上述第1致能信号为非活化状态时将上述第1及第2电晶体同时固定于OFF(非导通)状态。