| 摘要 |
L'invention concerne une matrice de photodiodes comprenant une première électrode commune d'une jonction PN, comprenant au moins une couche de substrat (4) en un matériau de la famille du phosphure d'indium et une couche active (5) en un matériau de la famille de l'arséniure de gallium-indium, - une couche de passivation (6) en un matériau de la famille du phosphure d'indium, et au moins deux sortes de zones dopées de même type: - des premières zones dopées (3) formées au moins en partie dans la couche active (5), définissant des secondes électrodes pour former, avec la première électrode commune, des photodiodes pour la formation d'images, - au moins une seconde zone dopée (10) formant une troisième électrode absorbant des porteurs de charge excédentaires pour les évacuer, ladite au moins une seconde zone dopée (10) étant formée dans la couche de passivation (6) et étant séparée de la couche active (5) par une portion de ladite couche de passivation (6). |
