| 摘要 |
Элемент памяти на основе мемристорных наноструктур, состоящий из изолированной подложки, нижнего контактного электрода, запоминающего слоя из сплошной пленки оксида металла и верхнего контактного электрода, отличающийся тем, что запоминающий слой выполнен в виде изолированных наноразмерных структур оксида металла, каждая из которых относится к одной ячейке массива элемента памяти. |
