发明名称 |
Verfahren, das ein Entfernen einer Hartmaske von einer Halbleiterstruktur und ein Spülen der Halbleiterstruktur mit einer alkalischen Spüllösung umfasst |
摘要 |
<p>Ein Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Halbleiterstruktur. Die Halbleiterstruktur umfasst ein elektrisch leitfähiges Strukturelement, das ein erstes Metall enthält, ein dielektrisches Material, das sich über dem elektrisch leitfähigen Strukturelement befindet und eine Hartmaske. Die Hartmaske enthält ein Hartmaskenmaterial und befindet sich über dem dielektrischen Material. In dem Zwischenschichtdielektrikum und der Hartmaske befindet sich eine Öffnung. Ein Teil des elektrisch leitfähigen Strukturelements liegt am Boden der Öffnung frei. Die Hartmaske wird entfernt. Das Entfernen der Hartmaske umfasst ein Aussetzen der Halbleiterstruktur an eine Ätzlösung, die Wasserstoffperoxid und ein Korrosionsschutzmittel enthält. Nach dem Entfernen der Hartmaske wird die Halbleiterstruktur gespült. Das Spülen der Halbleiterstruktur umfasst ein Aussetzen der Halbleiterstruktur an eine alkalische Spüllösung.</p> |
申请公布号 |
DE102014209461(A1) |
申请公布日期 |
2014.11.27 |
申请号 |
DE201410209461 |
申请日期 |
2014.05.19 |
申请人 |
GLOBALFOUNDRIES INC. |
发明人 |
MIETH, OLIVER;HUISINGA, TORSTEN;PETERS, CARSTEN;HINTZE, BERND;BONSDORF, GRIT |
分类号 |
H01L21/768;H01L21/283 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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