| 摘要 |
<p>本発明の実施形態は概して、ＲｅＲＡＭセルなどの不揮発性メモリデバイス、およびこのようなメモリデバイスを製造する方法に関するものであり、当該方法は、金属酸化物膜スタックを形成するための最適化した原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを含んでいる。金属酸化物膜スタックは、金属酸化物のホスト層上に配置された金属酸化物のカップリング層を含んでおり、各層は異なる結晶粒組織／サイズを有している。金属酸化物の層間に位置する界面は酸素空孔の移動を促進する。多くの例では、この界面は、電極界面に対して垂直に延びるバルクフィルムにおける結晶とは対照的に、電極界面と平行に延びる多くの結晶粒界を有する、不整列な結晶界面である。その結果、スイッチングの際に空孔を著しく損失することなく、酸素空孔は捕捉され除去される。したがって、金属酸化物膜スタックは、以前のメモリセルにおける従来の酸化ハフニウムベースのスタックと比較して、メモリセルに適用する際のスイッチング性能および信頼性が向上する。【選択図】図１</p> |
