一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，包括AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上部设有源极和栅极，下部依次为GaN沟道层、p-GaN电流阻挡层、n-GaN缓冲层、n⁺-GaN衬底、漏极；所述p-GaN电流阻挡层中心设有宽度为LAP的孔径，且嵌套在n-GaN缓冲层上部，所述n-GaN缓冲层内设有p-GaN岛，所述p-GaN岛位于p-GaN电流阻挡层与n⁺-GaN衬底之间。本发明所提出的GaNPI-VHFET中，通过使用p-GaN岛层，在n-GaN缓冲层内引入额外的p型杂质，截止状态下耗尽n-GaN缓冲层区域，使得缓冲层在耐压时相当于本征区，因此可以抑制常规GaNVHFET中，垂直电场强度随着远离p-GaN电流阻挡层与n-GaN缓冲层界面不断减小的问题，从而提升器件的击穿电压。同时，截止状态下漏极泄漏电流也将有所降低。

主权项

一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于：包括势垒层（103），所述势垒层（103）上部设有源极（101）和栅极（102），下部依次为沟道层（104）、p‑GaN电流阻挡层（201）、n‑GaN缓冲层（105）、n⁺‑GaN衬底（202）、漏极（203）；所述p‑GaN电流阻挡层（201）中心设有宽度为L_AP的孔径，且嵌套在n‑GaN缓冲层（105）上部，所述n‑GaN缓冲层（105）内设有p‑GaN岛（301），所述p‑GaN岛（301）位于p‑GaN电流阻挡层（201）与n⁺‑GaN衬底（202）之间。