发明名称 用于操作变换器电路的方法
摘要 说明了用于操作变换器电路(1)的方法,在所述方法中,所述变换器电路(1)的整流器单元(2)的可操控功率半导体开关借助于整流器开关信号(S<sub>G</sub>)来操控并且所述变换器电路(1)的所述逆变器单元(4)的可操控功率半导体开关借助于逆变器开关信号(S<sub>W</sub>)来操控。为了减少变换器电路(1)在无负载状态下的损耗,如果满足所定义的变换器电路(1)的条件,则闭锁所述整流器开关信号(S<sub>G</sub>),以便关断整流器单元(2)的可操控功率半导体开关。这些条件尤其包含直流电压中间回路中的电压以及由所连接电网所需的有效功率和/或无功功率。
申请公布号 CN104170233A 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201280071931.X 申请日期 2012.06.06
申请人 ABB 技术有限公司 发明人 P.迈巴奇;T.沙亚德;M.维尔洛米特泽
分类号 H02M5/45(2006.01)I;H02M5/458(2006.01)I 主分类号 H02M5/45(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 朱君;姜甜
主权项  一种用于操作变换器电路(1)的方法,在所述方法中,所述变换器电路(1)包括整流器单元(2),所述整流器单元(2)具有多个可操控的功率半导体开关以及不可操控功率半导体开关,其中,第一交变电压电网(5)经由电网侧阻抗(Z<sub>N</sub>)连接在所述整流器单元(2)的交变电压侧上;电容性储能回路(3),所述电容性储能回路(3)与所述整流器单元(2)的直流电压侧相连接;逆变器单元(4),所述逆变器单元(4)具有多个可操控以及不可操控的功率半导体开关,其中,所述电容性储能回路(3)与所述逆变器单元(4)的直流电压侧相连接并且第二交变电压电网(6)经由负载侧阻抗(Z<sub>L</sub>)连接在所述逆变器单元(4)的交变电压侧上,其中,所述整流器单元(2)的可操控功率半导体开关借助于整流器开关信号(S<sub>G</sub>)来操控并且所述逆变器单元(4)的可操控功率半导体开关借助于逆变器开关信号(S<sub>W</sub>)来操控,其特征在于:(a)连续确定所述电容性储能回路(3)上的电压(U<sub>DC</sub>);(b)连续确定所述逆变器单元(4)的交变电压侧上的有效功率实际值(P<sub>ist</sub>);(c)连续确定所述逆变器单元(4)的交变电压侧上的无功功率实际值(Q<sub>ist</sub>);并且如果(d)所述电容性储能回路(3)上的电压(U<sub>DC</sub>)位于可预定范围内,并且(e)所述逆变器单元(4)的交变电压侧上的有效功率实际值(P<sub>ist</sub>)位于可预定值以下和/或所述无功功率实际值(Q<sub>ist</sub>)基本上等于可预定无功功率额定值(Q<sub>soll</sub>),则闭锁所述整流器开关信号(S<sub>G</sub>),以便关断所述整流器单元(2)的可操控功率半导体开关。
地址 瑞士苏黎世