发明名称 半导体装置
摘要 主电路基板(1)的绝缘层(3)上形成的主电路布线图案(4)和构成主电路(10a)的半导体芯片(5、6)的背面通过焊料等的接合材料接合。半导体芯片(5、6)的正面电极通过粗径的键合引线(11)与电力用管脚(13a)电连接。构成控制电路(10b)的控制半导体芯片(9)的背面通过接合材料与由粘接在主电路基板(1)边缘的壳(12)的底面部(12-1)形成的控制电路基板(7)上的控制电路布线图案(8b)接合。控制电路基板(7)的主面位于比主电路基板(1)的主面高的位置,在控制电路基板(7)和主电路基板(1)的主面间形成高度差。据此,能够提供抗噪性优异,并且具有能够以少的制造工序数和低成本进行制造的结构的半导体装置。
申请公布号 CN104170087A 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201380014248.7 申请日期 2013.04.16
申请人 富士电机株式会社 发明人 传田俊男;关知则;山田忠则;佐藤忠彦
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 孙昌浩;韩明花
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:多个半导体元件;形成有多个所述半导体元件中的、相比其他所述半导体元件流过更大的电流的第一半导体元件的第一半导体芯片;形成有多个所述半导体元件中的、控制所述第一半导体元件的第二半导体元件的第二半导体芯片;具有接合有所述第一半导体芯片的第一布线图案的绝缘基板;具有搭载有所述第二半导体芯片的第二布线图案的绝缘部件。
地址 日本神奈川县川崎市