| 发明名称 | 耐腐蚀性铝合金接合线 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种耐腐蚀性铝合金接合线，其目的在于抑制半导体元件连接用高纯度铝线在高温/高湿环境下的晶间腐蚀。本发明是在纯度为99.99质量％以上的高纯度铝中含有10～200重量ppm的铑(Rh)和/或钯(Pd)的铝合金接合线，这些添加元素被强制固溶而在铝基体中形成与铝的金属间化合物的分散相，上述铝基体的结晶粒径为10～100μm。铑(Rh)和钯(Pd)通过催化作用使铝表面产生的原子状氢形成H<sub>2</sub>，阻止其向铝基体中的扩散渗透，从而能够抑制原子状氢键合形成H<sub>2</sub>而发生的晶间腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN104164591A | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201410206059.6 | 申请日期 | 2014.05.15 |
| 申请人 | 田中电子工业株式会社 | 发明人 | 天野裕之;中岛伸一郎;市川司;三上道孝 |
| 分类号 | C22C21/00(2006.01)I;C22F1/04(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | C22C21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 金龙河;穆德骏 |
| 主权项 | 一种高耐腐蚀性铝合金接合线，其为在纯度为99.99质量％以上的高纯度铝中含有10质量ppm以上且小于100质量ppm的铑(Rh)的铝合金接合线，其特征在于，所述铑(Rh)在铝基体中形成与铝的金属间化合物的分散相。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||