半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置及半导体装置的制造方法。当采用由金属材料构成的源电极及漏电极与氧化物半导体膜直接接触的薄膜晶体管的结构时，接触电阻会增高。接触电阻增高的原因之一是：在源电极及漏电极与氧化物半导体膜的接触面上形成肖特基结。本发明的技术要点是：在氧化物半导体膜与源电极及漏电极之间设置氧缺少氧化物半导体层，该氧缺少氧化物半导体层包含其尺寸为1nm至10nm以下的晶粒，并且其载流子浓度高于用作沟道形成区域的氧化物半导体膜。

主权项

一种半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的半导体层；以及所述半导体层上的源区及漏区，其中，所述栅极绝缘层在所述栅极绝缘层与所述半导体层之间的界面具有氧浓度的峰值，所述半导体层是氧化物半导体层，所述源区及漏区是氧化物半导体层，具有低于所述半导体层的氧浓度，并包含尺寸为1nm至10nm的晶粒，所述半导体层包含所述源区与所述漏区之间的沟道区域，以及所述沟道区域的厚度小于所述半导体层其它区域的厚度。