发明名称 |
基于对数一阶微分峰值法的缺陷深度测量方法 |
摘要 |
基于对数一阶微分峰值法的缺陷深度测量方法,包括如下步骤:a、采用与被测试件相同的材料制作标准试件,标准试件的缺陷深度已知;b、获得标准试件表面的热图序列;c、得到标准试件不同缺陷深度下对数温度-对数时间一阶微分曲线,并提取各缺陷深度下对应曲线峰值的时刻t;d、将缺陷深度平方L<sup>2</sup>与对应的峰值时刻t线性拟合,得到标准试件的时间-缺陷深度平方线性关系;e、对被测试件重复步骤b和c,得到被测试件曲线峰值时刻为t<sub>1</sub>;f、根据步骤d所获得的线性关系和t<sub>1</sub>,求出被测试件的缺陷深度L<sub>1</sub>。或根据公式:<img file="DDA00002798354700011.GIF" wi="358" he="130" />由标准试件得到公式中参数n值;对被测件重复步骤b和c,得到一阶微分峰值时间t<sub>1</sub>,利用公式求出被测试件的缺陷深度L<sub>1</sub>。 |
申请公布号 |
CN103148799B |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201310037715.X |
申请日期 |
2013.01.30 |
申请人 |
首都师范大学;北京维泰凯信新技术有限公司;重庆师范大学 |
发明人 |
曾智;陶宁;冯立春;王迅;张存林 |
分类号 |
G01B11/22(2006.01)I;G01B11/06(2006.01)I |
主分类号 |
G01B11/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 |
代理人 |
孙皓晨 |
主权项 |
一种基于对数一阶微分峰值法的缺陷深度测量方法,其特征在于,包括如下步骤:a、采用与被测试件相同的材料制作标准试件,标准试件的缺陷深度已知;b、对标准试件进行加热,获得标准试件表面的热图序列;c、根据获得的热图序列得到标准试件不同缺陷深度下对数温度‑对数时间一阶微分曲线,并提取各缺陷深度下对应曲线峰值的时刻t;d、将缺陷深度平方L<sup>2</sup>与对应的峰值时刻t线性拟合,得到标准试件的时间‑缺陷深度平方线性关系;e、对被测试件重复步骤b和c,得到被测试件对数温度‑对数时间一阶微分曲线,曲线峰值时刻为t<sub>1</sub>;f、根据步骤d所获得的线性关系和t<sub>1</sub>,求出被测试件的缺陷深度L<sub>1</sub>。 |
地址 |
100037 北京市海淀区西三环北路105号 |