发明名称 |
降低DRAM软错误的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种降低DRAM软错误的方法,该方法能够主动检测软错误,智能降低软错误的发生率,使得DRAM中的错误位数保持在DRAM错误纠正能力范围之内,直至没有错误发生,DRAM恢复正常状态,从而提高了内存的可靠性、可用性以及可服务性,该方法可用于为广大客户提供关键任务程序和服务的领域,应用范围广,适用性强。 |
申请公布号 |
CN104167224A |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201410261074.0 |
申请日期 |
2014.06.12 |
申请人 |
上海新储集成电路有限公司 |
发明人 |
景蔚亮;陈邦明 |
分类号 |
G11C29/44(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/44(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
一种降低DRAM软错误的方法,应用于计算机系统中,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1,进行DRAM错误检测以获取所述DRAM中数据的错误位数;步骤S2,判断所述DRAM中数据的错误位数是否达到预警值,若否,则进行错误纠正以使所述DRAM恢复正常状态,若是,则进行步骤S3;步骤S3,增加充电电压和/或提高刷新频率以使得所述DRAM中数据的错误位数小于所述预警值,继续进行步骤S2。 |
地址 |
201500 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号 |