发明名称 |
像素阵列基板 |
摘要 |
本发明公开了一种像素阵列基板,包括基板、设置于基板上的薄膜晶体管、第一绝缘层、共用电极、第二绝缘层以及像素电极。薄膜晶体管包含有栅极、源极以及漏极。第一绝缘层覆盖于薄膜晶体管与基板上,且具有第一开口,曝露出漏极,其中第一绝缘层的厚度介于1微米与5微米之间,且介电常数介于2法拉/米与5法拉/米之间。共用电极设置于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖于第一绝缘层与共用电极上,且具有第二开口,曝露出第一开口。像素电极设置于第二绝缘层上,并通过第一开口与第二开口与漏极电性连接。 |
申请公布号 |
CN104166278A |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201310181770.6 |
申请日期 |
2013.05.16 |
申请人 |
瀚宇彩晶股份有限公司 |
发明人 |
胡宪堂;唐大庆;任珂锐;赖瑞麒 |
分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种像素阵列基板,其特征在于,包括:一基板;多个薄膜晶体管,分别设置于所述基板上,且各所述薄膜晶体管包含有一漏极;一第一绝缘层,覆盖于所述薄膜晶体管与所述基板上,且所述第一绝缘层具有多个第一开口,分别曝露出各所述漏极;一共用电极,设置于所述第一绝缘层上;一第二绝缘层,覆盖于所述第一绝缘层与所述共用电极上,且所述第二绝缘层具有多个第二开口,曝露出各所述第一开口;以及多个像素电极,设置于所述第二绝缘层上,并分别通过各所述第一开口与各所述第二开口与各所述漏极电性连接;其中,所述第一绝缘层具有一厚度,介于1微米与5微米之间。 |
地址 |
中国台湾新北市 |