| 发明名称 | 一种GaN基HEMT器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN基HEMT器件，涉及半导体器件技术领域。该GaN基HEMT器件包括：衬底，形成于所述衬底上方的沟道层，形成于所述沟道层上方的势垒层，形成于所述势垒层上方的源极、漏极、至少一层绝缘介质层，以及形成于所述至少一层绝缘介质层上方的栅极，能够降低器件的栅泄漏电流，以及不影响其微波特性。 | ||
| 申请公布号 | CN104167438A | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201310185820.8 | 申请日期 | 2013.05.20 |
| 申请人 | 北京天元广建科技研发有限责任公司 | 发明人 | 文正;孟迪;林书勋;郝一龙;吴文刚 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种GaN基HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；沟道层，形成于所述衬底的上方；势垒层，形成于所述沟道层的上方；源极、漏极、至少一层绝缘介质层，形成于所述势垒层的上方，所述源极和所述漏极分别位于所述至少一层绝缘介质层的两侧；栅极，形成于所述至少一层绝缘介质层的上方。 | ||
| 地址 | 102200 北京市昌平区邓庄西新汇园天元广建楼 | ||